Transistor bipolaire 2SD1681-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1681-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 18 V
  • Tension collecteur-base maximum: 20 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SD1681-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1681-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1681 est compris entre 70 à 400, celui du 2SD1681-Q entre 70 à 140, celui du 2SD1681-S entre 140 à 280, celui du 2SD1681-T entre 200 à 400.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1681-R peut n'être marqué que D1681-R.

Complémentaire du transistor 2SD1681-R

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1681-R est le 2SB1141-R.

Version SMD du transistor 2SD1681-R

Le BCX68 (SOT-89) et BCX68-16 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SD1681-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1681-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1681-R par 2SC1162, 2SC1162-C, 2SC1368, 2SD1380, 2SD439, 2SD439-E, 2SD793, 2SD793-Q, 2SD882, 2SD882O, 2SD882Q, BD185, KSD882, KSD882-O, KSH882, KSH882-O, KTC2804, KTD882, KTD882-O ou MJE520.
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