Transistor bipolaire 2SB1141-R

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -18 V
• Tension collecteur-base maximum: -20 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.2 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1141-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1141 est compris entre 70 à 400, celui du 2SB1141-Q entre 70 à 140, celui du 2SB1141-S entre 140 à 280, celui du 2SB1141-T entre 200 à 400.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1141-R peut n'être marqué que B1141-R.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1141-R est le 2SD1681-R.Le BCX69 (SOT-89) et BCX69-16 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB1141-R.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1141-R par 2SA1120, 2SA1357, 2SA1357-O, 2SA715, 2SA715-C, 2SA738, 2SB1009, 2SB1127, 2SB1127-R, 2SB1140, 2SB1140-R, 2SB559, 2SB559-E, 2SB743, 2SB743-Q, 2SB772, 2SB772O, 2SB772Q, BD186, KSB772, KSB772-O, KSH772, KSH772-O, KTA1705, KTB772, KTB772-O ou MJE370.