Caractéristiques électriques du transistor 2SB648-D
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
Tension collecteur-base maximum: -180 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
Dissipation de puissance maximum: 1 W
Gain de courant (hfe): 160 à 320
Fréquence de transition minimum: 140 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SB648-D
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB648-D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SB648 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB648-B entre 60 à 120, celui du 2SB648-C entre 100 à 200.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB648-D peut n'être marqué que B648-D.
Complémentaire du transistor 2SB648-D
Le transistor NPN complémentaire du 2SB648-D est le 2SD668-D.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB648-D