Transistor bipolaire HSB1109-D

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
• Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
• Gain de courant (h_fe): 160 à 320
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1109-D transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor HSB1109-D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du HSB1109 est compris entre 60 à 320, celui du HSB1109-B entre 60 à 120, celui du HSB1109-C entre 100 à 200.Le transistor NPN complémentaire du HSB1109-D est le HSD1609-D.Vous pouvez remplacer le transistor HSB1109-D par 2SA1142, 2SA1142P, 2SA1209, 2SA1210, 2SA1220A, 2SA1220A-P, 2SA1248, 2SA1249, 2SA1352, 2SA1352-F, 2SA1353, 2SA1353-F, 2SA1380, 2SA1380-F, 2SA1381, 2SA1381-F, 2SA1406, 2SA1406-F, 2SA1407, 2SA1407-F, 2SA1477, 2SA1478, 2SA1478-F, 2SA1479, 2SA1479-F, 2SA1480, 2SA1480-F, 2SA1507, 2SA1540, 2SA1540-F, 2SA1541, 2SA1541-F, 2SA795A, 2SB1109, 2SB1109-D, 2SB1110, 2SB1110-D, KSA1142, KSA1142Y, KSA1220A, KSA1220A-Y, KSA1381 ou KSA1381-F.