Transistor bipolaire 2SB1109-D

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1109-D

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB1109-D

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1109-D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SB1109 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB1109-B entre 60 à 120, celui du 2SB1109-C entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1109-D peut n'être marqué que B1109-D.

Complémentaire du transistor 2SB1109-D

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1109-D est le 2SD1609-D.

Transistor 2SB1109-D en boîtier TO-92

Le HSB1109S-D est la version TO-92 du 2SB1109-D.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1109-D

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1109-D par 2SA1142, 2SA1142P, 2SA1209, 2SA1210, 2SA1220A, 2SA1220A-P, 2SA1248, 2SA1249, 2SA1352, 2SA1352-F, 2SA1353, 2SA1353-F, 2SA1380, 2SA1380-F, 2SA1381, 2SA1381-F, 2SA1406, 2SA1406-F, 2SA1407, 2SA1407-F, 2SA1477, 2SA1478, 2SA1478-F, 2SA1479, 2SA1479-F, 2SA1480, 2SA1480-F, 2SA1507, 2SA1540, 2SA1540-F, 2SA1541, 2SA1541-F, 2SA795A, 2SB1110, 2SB1110-D, HSB1109, HSB1109-D, KSA1142, KSA1142Y, KSA1220A, KSA1220A-Y, KSA1381 ou KSA1381-F.
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