Caractéristiques électriques du transistor 2SB557-R
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
Tension collecteur-base maximum: -120 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -8 A
Dissipation de puissance maximum: 80 W
Gain de courant (hfe): 40 à 80
Fréquence de transition minimum: 7 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
Boîtier: TO-3
Brochage du 2SB557-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB557-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SB557 est compris entre 40 à 140, celui du 2SB557-O entre 70 à 140.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB557-R peut n'être marqué que B557-R.
Complémentaire du transistor 2SB557-R
Le transistor NPN complémentaire du 2SB557-R est le 2SD427-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB557-R