Transistor bipolaire 2SB1230-P

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -110 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 100 W
• Gain de courant (h_fe): 50 à 100
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1230-P peut avoir un gain en courant continu de 50 à 100. Le gain en courant continu du 2SB1230 est compris entre 50 à 140, celui du 2SB1230-Q entre 70 à 140.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1230-P peut n'être marqué que B1230-P.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1230-P est le 2SD1840-P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1230-P par 2SA1386, 2SA1386-O, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1492-O, 2SA2151, 2SA2151-O, 2SB1231, 2SB1231-P, 2SB1232, 2SB1232-P, BD246C, BD250C, BD746C ou TIP36CA.