Transistor bipolaire 2SB1232-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1232-P

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -110 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -40 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 100
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SB1232-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1232-P peut avoir un gain en courant continu de 50 à 100. Le gain en courant continu du 2SB1232 est compris entre 50 à 140, celui du 2SB1232-Q entre 70 à 140.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1232-P peut n'être marqué que B1232-P.

Complémentaire du transistor 2SB1232-P

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1232-P est le 2SD1842-P.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com