Caractéristiques électriques du transistor 2SA755-B
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
Tension collecteur-base maximum: -50 V
Tension émetteur-base maximum: -4 V
Courant collecteur continu maximum: -2 A
Dissipation de puissance maximum: 20 W
Gain de courant (hfe): 60 à 120
Fréquence de transition minimum: 50 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SA755-B
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SA755-B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SA755 est compris entre 35 à 200, celui du 2SA755-A entre 35 à 70, celui du 2SA755-C entre 100 à 200.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA755-B peut n'être marqué que A755-B.
Complémentaire du transistor 2SA755-B
Le transistor NPN complémentaire du 2SA755-B est le 2SC1419-B.
Version SMD du transistor 2SA755-B
Le 2SA1364 (SOT-89), 2SA1364-C (SOT-89) et BCP52 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SA755-B.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SA755-B