Caractéristiques électriques du transistor 2SB1185
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -3 A
Dissipation de puissance maximum: 25 W
Gain de courant (hfe): 60 à 320
Fréquence de transition minimum: 70 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SB1185
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1185 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 320. Le gain en courant continu du 2SB1185D est compris entre 60 à 120, celui du 2SB1185E entre 100 à 200, celui du 2SB1185F entre 160 à 320.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1185 peut n'être marqué que B1185.
Complémentaire du transistor 2SB1185
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1185 est le 2SD1762.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1185