Caractéristiques électriques du transistor KTB988O
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -7 V
Courant collecteur continu maximum: -3 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 60 à 120
Fréquence de transition minimum: 9 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du KTB988O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KTB988O peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du KTB988 est compris entre 60 à 300, celui du KTB988GR entre 150 à 300, celui du KTB988Y entre 100 à 200.
Complémentaire du transistor KTB988O
Le transistor NPN complémentaire du KTB988O est le KTD1351O.
Substituts et équivalents pour le transistor KTB988O