Transistor bipolaire 2SB507

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 30 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 320
• Fréquence de transition minimum: 5 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB507 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 320. Le gain en courant continu du 2SB507C est compris entre 40 à 80, celui du 2SB507D entre 60 à 120, celui du 2SB507E entre 100 à 200, celui du 2SB507F entre 160 à 320.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB507 peut n'être marqué que B507.Le transistor NPN complémentaire du 2SB507 est le 2SD313.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB507 par 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, 2SB633, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029 ou MJE15029G.