Transistor bipolaire 2SA642G

Caractéristiques électriques du transistor 2SA642G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SA642G

Le 2SA642G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA642G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SA642 est compris entre 70 à 400, celui du 2SA642O entre 70 à 140, celui du 2SA642Y entre 120 à 240.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA642G peut n'être marqué que A642G.

Complémentaire du transistor 2SA642G

Le transistor NPN complémentaire du 2SA642G est le 2SD227G.

Transistor 2SA642G en boîtier TO-92

Le KSA642G est la version TO-92 du 2SA642G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA642G

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA642G par 2SB564A, 2SB564AGR, BCX79, KSA642, KSA642G, KSB564A, KSB564AG, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, NTE193 ou PN200.
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