Caractéristiques électriques du transistor 2SA642G
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
Tension collecteur-base maximum: -30 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -0.3 A
Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
Gain de courant (hfe): 200 à 400
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SA642G
Le 2SA642G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SA642G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SA642 est compris entre 70 à 400, celui du 2SA642O entre 70 à 140, celui du 2SA642Y entre 120 à 240.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA642G peut n'être marqué que A642G.
Complémentaire du transistor 2SA642G
Le transistor NPN complémentaire du 2SA642G est le 2SD227G.