Transistor bipolaire 2N5686G
Caractéristiques électriques du transistor 2N5686G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 50 A
- Dissipation de puissance maximum: 300 W
- Gain de courant (hfe): 15 à 60
- Fréquence de transition minimum: 2 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-3
- Le 2N5686G est la version sans plomb du transistor 2N5686
Brochage du 2N5686G
Complémentaire du transistor 2N5686G
Substituts et équivalents pour le transistor 2N5686G
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com