Transistor bipolaire 2N5686

Caractéristiques électriques du transistor 2N5686

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 50 A
  • Dissipation de puissance maximum: 300 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 60
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N5686

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5686

Le transistor PNP complémentaire du 2N5686 est le 2N5684.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5686

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5686 par 2N5686G, MJ14002 ou MJ14002G.

Version sans plomb

Le transistor 2N5686G est la version sans plomb du 2N5686.
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