Transistor bipolaire 2N3789

Caractéristiques électriques du transistor 2N3789

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 25 à 90
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N3789

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N3789

Le transistor NPN complémentaire du 2N3789 est le 2N3713.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N3789

Vous pouvez remplacer le transistor 2N3789 par 2N3790, 2N5875, 2N5876, 2N5879, 2N5880, 2N5883, 2N5883G, 2N5884, 2N5884G, 2N6029, 2N6229, 2N6246, 2N6247, 2N6248, BD316, BD318, MJ14001, MJ14001G, MJ14003, MJ14003G, MJ2940, MJ2941, MJ4502, MJ4502G ou NTE180.
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