Transistor bipolaire 2N6229

Caractéristiques électriques du transistor 2N6229

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 25 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 1 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N6229

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6229

Le transistor NPN complémentaire du 2N6229 est le 2N5632.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6229

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6229 par 2N6029, 2N6248, BD318, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 ou MJ15004G.
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