Transistor bipolaire 2N6029

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -16 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 100
• Fréquence de transition minimum: 1 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N6029 est le 2N5629.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6029 par BD318, MJ15004 ou MJ15004G.