Transistor bipolaire 2N5880

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 160 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 100
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N5880 est le 2N5882.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5880 par 2N5884, 2N5884G, 2N6247, 2N6248, MJ14003 ou MJ14003G.