Transistor bipolar NTE130

Características del transistor NTE130

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 115 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 70
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del NTE130

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del NTE130 es el NTE219.

Sustitución y equivalentes para el transistor NTE130

Puede sustituir el NTE130 por el 2N3055, 2N3055A, 2N3055AG, 2N3055G, 2N3055H, 2N5039, 2N5630, 2N5671, 2N5672, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, BD130, BD182, BD183, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ15015 o MJ15015G.
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