Transistor bipolar 2N3055G

Características del transistor 2N3055G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 115 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 70
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El 2N3055G es la versión sin plomo del transistor 2N3055

Diagrama de pines del 2N3055G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2N3055G es el MJ2955G.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N3055G

Puede sustituir el 2N3055G por el 2N3055, 2N3055A, 2N3055AG, 2N3055H, 2N5039, 2N5630, 2N5671, 2N5672, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, BD130, BD182, BD183, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ15015, MJ15015G o NTE130.
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