Transistor bipolar 2N5886

Características del transistor 2N5886

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 25 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2N5886

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2N5886 es el 2N5884.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5886

Puede sustituir el 2N5886 por el 2N5671, 2N5672, 2N5886G, MJ14002 o MJ14002G.

Versión sin plomo

El transistor 2N5886G es la versión sin plomo del 2N5886.
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