Transistor bipolar 2N5630

Características del transistor 2N5630

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 16 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 80
  • Frecuencia máxima de trabajo: 1 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2N5630

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2N5630 es el 2N6030.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5630

Puede sustituir el 2N5630 por el 2N5038, 2N5038G, 2N5039 o 2N5672.
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