Transistor bipolar MJD117G

Características del transistor MJD117G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 12000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 25 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor
  • El MJD117G es la versión sin plomo del transistor MJD117

Diagrama de pines del MJD117G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor MJD117G está marcado como "J117G".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJD117G es el MJD112G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJD117G

Puede sustituir el MJD117G por el MJD117, MJD117T4, MJD117T4G, MJD127, MJD127G, MJD127T4 o MJD127T4G.
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