Transistor bipolar MJD117

Características del transistor MJD117

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 12000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 25 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor

Diagrama de pines del MJD117

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor MJD117 está marcado como "J117".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJD117 es el MJD112.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJD117

Puede sustituir el MJD117 por el MJD117G, MJD117T4, MJD117T4G, MJD127, MJD127G, MJD127T4 o MJD127T4G.

Versión sin plomo

El transistor MJD117G es la versión sin plomo del MJD117.
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