Transistor bipolar MJD117T4G

Características del transistor MJD117T4G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 12000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 25 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor
  • El MJD117T4G es la versión sin plomo del transistor MJD117T4

Diagrama de pines del MJD117T4G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor MJD117T4G está marcado como "J117G".

Sustitución y equivalentes para el transistor MJD117T4G

Puede sustituir el MJD117T4G por el MJD117, MJD117G, MJD117T4, MJD127, MJD127G, MJD127T4 o MJD127T4G.
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