Transistor bipolar MJD112G

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 2 A
• Disipación de Potencia Máxima: 20 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000 a 12000
• Frecuencia máxima de trabajo: 25 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP112 transistor
• El MJD112G es la versión sin plomo del transistor MJD112

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor MJD112G está marcado como "J112G".El transistor PNP complementario del MJD112G es el MJD117G.El FMMT624 (SOT-23) y FZT694B (SOT-223) es la versión SMD del transistor MJD112G.Puede sustituir el MJD112G por el MJD112, MJD112T4, MJD112T4G, MJD122, MJD122G, MJD122T4 o MJD122T4G.