Transistor bipolar 2SB502A-O

Características del transistor 2SB502A-O

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -110 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -10 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 5 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-66

Diagrama de pines del 2SB502A-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB502A-O puede tener una ganancia de corriente de 50 a 140. La ganancia del 2SB502A estará en el rango de 30 a 280, para el 2SB502A-R estará en el rango de 30 a 70, para el 2SB502A-Y estará en el rango de 100 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB502A-O puede estar marcado sólo como "B502A-O".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB502A-O es el 2SD877-O.

Versión SMD del transistor 2SB502A-O

El BDP954 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB502A-O.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB502A-O

Puede sustituir el 2SB502A-O por el 2N6467 o 2N6468.
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