Transistor bipolar 2SB502A-R
Características del transistor 2SB502A-R
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -110 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -10 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
- Disipación de Potencia Máxima: 25 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 70
- Frecuencia máxima de trabajo: 5 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-66
Diagrama de pines del 2SB502A-R
Clasificación de hFE
Marcado
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB502A-R
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