Transistor bipolar 2SD877-O

Características del transistor 2SD877-O

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 110 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-66

Diagrama de pines del 2SD877-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD877-O puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SD877 estará en el rango de 60 a 300, para el 2SD877-GR estará en el rango de 150 a 300, para el 2SD877-Y estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD877-O puede estar marcado sólo como "D877-O".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD877-O es el 2SB502A-O.

Versión SMD del transistor 2SD877-O

El BDP953 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SD877-O.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD877-O

Puede sustituir el 2SD877-O por el 2N3767, 2N5427, 2N5428, 2N5429, 2N5430, 2N6465, 2N6466 o 2SC1113.
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