Transistor bipolar 2SB502A

Características del transistor 2SB502A

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -110 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -10 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 280
  • Frecuencia máxima de trabajo: 5 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-66

Diagrama de pines del 2SB502A

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB502A puede tener una ganancia de corriente de 30 a 280. La ganancia del 2SB502A-O estará en el rango de 50 a 140, para el 2SB502A-R estará en el rango de 30 a 70, para el 2SB502A-Y estará en el rango de 100 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB502A puede estar marcado sólo como "B502A".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB502A es el 2SD877.
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