Bipolartransistor SS9013

Elektrische Eigenschaften des Transistors SS9013

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 64 bis 202
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des SS9013

Der SS9013 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor SS9013 kann eine Gleichstromverstärkung von 64 bis 202 haben. Die Gleichstromverstärkung des SS9013D liegt im Bereich von 64 bis 91, die des SS9013E im Bereich von 78 bis 112, die des SS9013F im Bereich von 96 bis 135, die des SS9013G im Bereich von 112 bis 166, die des SS9013H im Bereich von 144 bis 202.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum SS9013 ist der SS9012.

Ersatz und Äquivalent für Transistor SS9013

Sie können den Transistor SS9013 durch einen 2SC1209, 2SD261, KTC9013, MPS3706, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G oder S9013 ersetzen.
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