Bipolartransistor KTC9013

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC9013

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 64 bis 246
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KTC9013

Der KTC9013 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC9013 kann eine Gleichstromverstärkung von 64 bis 246 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC9013D liegt im Bereich von 64 bis 91, die des KTC9013E im Bereich von 78 bis 112, die des KTC9013F im Bereich von 96 bis 135, die des KTC9013G im Bereich von 118 bis 166, die des KTC9013H im Bereich von 144 bis 202, die des KTC9013I im Bereich von 176 bis 246.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC9013 ist der KTC9012.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC9013

Sie können den Transistor KTC9013 durch einen 2SC1008, BC537, KSC1008, KSP05, MPS6532, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, MPSW05 oder MPSW05G ersetzen.
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