Bipolartransistor S8550B

Elektrische Eigenschaften des Transistors S8550B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S8550B

Der S8550B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S8550B kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des S8550 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des S8550C im Bereich von 120 bis 200, die des S8550D im Bereich von 160 bis 300.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum S8550B ist der S8050B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S8550B

Sie können den Transistor S8550B durch einen 2SB564A, KSB564A, KTC9012, M8550, M8550-B, MPS3702, MPS6535, MPS6562, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPS8550B, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, S9012, SS8550 oder SS8550B ersetzen.
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