Bipolartransistor M8550-B

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 80 bis 160
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der M8550-B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor M8550-B kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des M8550 liegt im Bereich von 80 bis 300, die des M8550-C im Bereich von 120 bis 200, die des M8550-D im Bereich von 160 bis 300.Der MMBT3702 (SOT-23) ist die SMD-Version des M8550-B-Transistors.Sie können den Transistor M8550-B durch einen 2SB564A, KSB564A, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG oder MPSW51G ersetzen.