Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS8550B
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des MPS8550B
Der MPS8550B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor MPS8550B kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des MPS8550 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des MPS8550C im Bereich von 120 bis 200, die des MPS8550D im Bereich von 160 bis 300.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum MPS8550B ist der MPS8050B.
SMD-Version des Transistors MPS8550B
Der MMBT3702 (SOT-23), MPS8550S (SOT-23) und MPS8550S-B (SOT-23) ist die SMD-Version des MPS8550B-Transistors.
