Bipolartransistor MJE4351

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE4351

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 35
Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des MJE4351

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE4351 ist der MJE4341.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE4351

Sie können den Transistor MJE4351 durch einen MJE4352, MJE4353 oder MJE4353G ersetzen.

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