Bipolartransistor MJE4353

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE4353

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 35
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des MJE4353

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE4353 ist der MJE4343.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE4353

Sie können den Transistor MJE4353 durch einen MJE4353G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJE4353G-Transistor ist die bleifreie Version des MJE4353.
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