Bipolartransistor MJE4341

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE4341

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 35
Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des MJE4341

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE4341 ist der MJE4351.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE4341

Sie können den Transistor MJE4341 durch einen MJE4342, MJE4343 oder MJE4343G ersetzen.

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