Bipolartransistor MJE4353G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 35
• Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-247
• Der MJE4353G ist die bleifreie Version des MJE4353-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE4353G ist der MJE4343G.Sie können den Transistor MJE4353G durch einen MJE4353 ersetzen.