Bipolartransistor MJE4343G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 35
• Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-247
• Der MJE4343G ist die bleifreie Version des MJE4343-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE4343G ist der MJE4353G.Sie können den Transistor MJE4343G durch einen MJE4343 ersetzen.