Bipolartransistor MJE4343

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE4343

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 35
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des MJE4343

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE4343 ist der MJE4353.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE4343

Sie können den Transistor MJE4343 durch einen MJE4343G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJE4343G-Transistor ist die bleifreie Version des MJE4343.
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