Bipolartransistor MJD47T4G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 350 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 150
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP47 transistor
• Der MJD47T4G ist die bleifreie Version des MJD47T4-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MJD47T4G-Transistor ist als "J47G" gekennzeichnet.Sie können den Transistor MJD47T4G durch einen MJD47, MJD47G, MJD47T4, MJD50, MJD50G, MJD50T4 oder MJD50T4G ersetzen.