Bipolartransistor MJD47G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD47G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 350 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular TIP47 transistor
  • Der MJD47G ist die bleifreie Version des MJD47-Transistors

Pinbelegung des MJD47G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MJD47G-Transistor ist als "J47G" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD47G

Sie können den Transistor MJD47G durch einen MJD47, MJD47T4, MJD47T4G, MJD50, MJD50G, MJD50T4 oder MJD50T4G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com