Bipolartransistor MJD47

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD47

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 350 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular TIP47 transistor

Pinbelegung des MJD47

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MJD47-Transistor ist als "J47" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD47

Sie können den Transistor MJD47 durch einen MJD47G, MJD47T4, MJD47T4G, MJD50, MJD50G, MJD50T4 oder MJD50T4G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJD47G-Transistor ist die bleifreie Version des MJD47.
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