Bipolartransistor MJD50T4G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 500 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 150
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP50 transistor
• Der MJD50T4G ist die bleifreie Version des MJD50T4-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MJD50T4G-Transistor ist als "J50G" gekennzeichnet.Sie können den Transistor MJD50T4G durch einen MJD50, MJD50G oder MJD50T4 ersetzen.