Bipolartransistor MJD112-1G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000 bis 12000
• Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-251
• Electrically Similar to the Popular TIP112 transistor
• Der MJD112-1G ist die bleifreie Version des MJD112-1-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MJD112-1G-Transistor ist als "J112G" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJD112-1G ist der MJD117-1G.Der FMMT624 (SOT-23) und FZT694B (SOT-223) ist die SMD-Version des MJD112-1G-Transistors.Sie können den Transistor MJD112-1G durch einen MJD112-1, MJD122-1 oder MJD122-1G ersetzen.