Bipolartransistor MJD122-1
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD122-1
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 20 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 12000
- Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-251
- Electrically Similar to the Popular TIP122 transistor
Pinbelegung des MJD122-1
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD122-1
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