Bipolartransistor MJD122-1G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000 bis 12000
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-251
• Electrically Similar to the Popular TIP122 transistor
• Der MJD122-1G ist die bleifreie Version des MJD122-1-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MJD122-1G-Transistor ist als "J122G" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJD122-1G ist der MJD127-1G.Sie können den Transistor MJD122-1G durch einen MJD122-1 ersetzen.