Bipolartransistor MJD117-1G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000 bis 12000
• Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-251
• Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor
• Der MJD117-1G ist die bleifreie Version des MJD117-1-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MJD117-1G-Transistor ist als "J117G" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJD117-1G ist der MJD112-1G.Sie können den Transistor MJD117-1G durch einen MJD117-1, MJD127-1 oder MJD127-1G ersetzen.